China desafía a Intel con su nuevo chip sin silicio: 40% más rápido y consume un 10% menos de energía

LA VOZ DE GOICOECHEA (Por Silvia Cabrero).- Un equipo de investigadores en Pekín ha creado un chip basado en materiales 2D como el bismuto, prescindiendo del silicio y logrando mayor eficiencia, rivalizando con Intel y TSMC.

China ha logrado un avance clave en la industria de los semiconductores con un nuevo chip que deja atrás al silicio. Este procesador, desarrollado por investigadores de la Universidad de Pekín, emplea bismuto en lugar del tradicional silicio y consigue superar a los chips más avanzados de Intel y TSMC.

Con un rendimiento un 40% superior y un consumo de energía un 10% menor, este diseño podría marcar el futuro de la microelectrónica y alterar el dominio de la tecnología occidental en este sector.

Este avance no solo representa una mejora en velocidad y eficiencia, sino que también podría cambiar el equilibrio del mercado global de semiconductores. Con la creciente demanda de chips más potentes y sostenibles, la apuesta de China por materiales alternativos como el bismuto marca un punto de inflexión en la industria.

Adiós al silicio: la nueva era del bismuto

Desde hace décadas, el silicio ha sido la base de la fabricación de chips. Sin embargo, conforme se han reducido los nanómetros en los transistores, han surgido desafíos como el sobrecalentamiento y el consumo excesivo de energía.

La solución que han encontrado los científicos chinos es el uso de materiales 2D, específicamente Bi2O2Se y Bi2SeO5, que ofrecen mayor eficiencia en la conducción electrónica y reducen las pérdidas de energía. Detallando su avance en el estudio publicado en la revista Nature Materials.

El nuevo transistor desarrollado en China emplea la tecnología GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor), una evolución de la tradicional FinFET que mejora la eficiencia electrónica. Esto permite que los electrones circulen con menor resistencia, optimizando el rendimiento y reduciendo la disipación térmica.

Mientras que los fabricantes occidentales aún trabajan en la miniaturización del silicio, los investigadores chinos han apostado por una vía completamente distinta con resultados prometedores.

Las restricciones tecnológicas impuestas en los últimos años han impulsado su autosuficiencia en la industria de semiconductores. En lugar de depender de chips fabricados en Taiwán o EEUU, China ha optado por desarrollar tecnologías propias.

Este avance en transistores basados en bismuto no solo es una respuesta a las limitaciones impuestas, sino que también representa un paso adelante en innovación tecnológica.

Según los datos obtenidos en pruebas de laboratorio, los transistores basados en bismuto tienen una velocidad de procesamiento un 40% superior a la de los chips de 3 nanómetros más avanzados de la actualidad.

Además, su eficiencia energética permite reducir el consumo eléctrico en un 10%, lo que representa una ventaja clave para dispositivos móviles y centros de datos que buscan optimizar su consumo.

Un futuro más sostenible para los semiconductores

El impacto medioambiental de la industria de los semiconductores es considerable, y la reducción del consumo energético es una prioridad. El uso de materiales 2D en los transistores podría ser una solución clave para reducir la huella de carbono en la producción de chips y dispositivos electrónicos.

Si esta tecnología logra escalarse a nivel industrial, podríamos estar ante una revolución en la fabricación de chips, con un enfoque más sostenible y eficiente que dejaría atrás al silicio. China ha dado un primer paso firme hacia una nueva generación de semiconductores, y el resto del mundo no tardará en tomar nota de este avance.

- Goicoechea es el cantón número 8 de la provincia de San José, fundado en 1891. Hoy conformado por siete distritos: Guadalupe, San Francisco, Calle Blancos, Mata de Plátano, Ipís, Rancho Redondo y Purral. Donde orgullosamente decimos: "De la montaña a la ciudad, así se extiende mi cantón". "Goicoechea, Goicoechea, te llevo en el corazón." -

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